【4200 SMU应用实例篇】支持千倍以上负载

使用长电缆或电容夹头的测试设置会增加测试仪器输出的电容，导致测量结果不准确或不稳定。当输出或扫描直流电压并测量异常灵敏的低电流时，能观察到这种效应。为了应对这些挑战，泰克为吉时利4200A-SCS参数分析仪引入了两个新的源测量单元（SMU）模块，即使在测试连接电容较高的应用中，该模块也可以进行稳定的低电流测量。

节能的要求越来越高，这就需要越来越低的电流，这是一个日益严峻的测量挑战，如测试智能手机或平板电脑的大型LCD面板。高电容测试连接可能会出现问题的应用，还包括：探卡上的纳米FET I-V测量，使用长电缆的MOSFET的传输特性，开关矩阵的FET测试以及电容泄漏测量。

支持1000倍以上的电容

与其他灵敏SMU相比，新的吉时利4201中功率SMU和4211高功率SMU（带有可选的4200-PA前置放大器）提升了大负载电容。在低支持电流范围内，4201-SMU和4211-SMU可以提供和测量的系统电容是目前SMU容量的1000倍。例如，如果电流在1至100pA之间，则新的吉时利模块可以处理高达1µF（微法拉）的负载。相比之下，在不降低测量精度的情况下，同类产品的大负载电容在该电流水平上的承受能力仅为1,000pF。

 

对于面临这些问题的客户，新模块是很宝贵的补充，不仅节省排除故障的时间，还可以节省开支。当测试工程师或研究人员发现测量错误时，他们首先需要追踪其来源。这本身可能需要花费大量时间，并且他们还需要先探索许多可能的原因，然后才能缩小范围。一旦发现原因是系统电容，就必须调整测试参数，电缆长度，甚至重新安排测试设置。这不是理想选择。

实际中，新的SMU模块是如何工作的呢？让我们来看一下平板显示器测试过程中和纳米FET研究中的几个关键应用。

 

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